【電子隧穿通過氮化硼很好】

八方

【電子隧穿通過氮化硼很好】

 

 

氮化硼的三明治

的六方晶系氮化硼（h-BN的）的超薄片，可以使在未來的電子元件，由於高度的電子隧穿通過該材料的均勻性為理想的電介質層。

這是一個國際研究小組的研究人員正在研究如何作為阻擋層，被夾在兩個導電層之間的材料進行索賠。

該研究小組發現，隧道電流的大小取決於指數h-BN的原子層 - 的數量，只是一個單一的層厚度。結果預示著，使用h-BN在電子元件，如隧道設備和超快的場效應晶體管，研究人員說。

喜歡石墨，氮化硼（BN）的片只有一個原子厚可以創建的厚得多的樣品的剝離。

BN是有趣的，從技術的角度來看，因為缺陷少的非常薄且均勻的樣品可以被提出和 - 不像石墨烯 - 的材料是絕緣體。

隨著晶體管變得越來越小，h-BN的可能是最好的材料，使用這種微型電子元件的絕緣層，團隊成員說：利亞姆Britnell，誰做的工作在英國曼徹斯特大學與諾貝爾-獲獎者安德烈Geim和Konstantin Novoselov和其他人在英國，荷蘭，新加坡，俄羅斯和美國。

更重要的是，Britnell認為，極薄的，多層結構的一類新的，可以由石墨和結合的h-BN。

這是因為這兩種材料具有非常相似的晶格常數，但非常不同的電子性能。

已經理想

研究已經表明，散裝BN可能是理想的作為基板的石墨烯電子。

BN也可以被用來作為阻擋層時，停止兩個石墨烯層之間以及在石墨烯的垂直隧道晶體管的電子隧穿厚度超過6個原子層。

甚至更薄的BN層的研究是非常有趣的，從根本上，因為這種材料可能會發現在柔性電子產品的應用，尤其是在層厚度可以控制在原子尺度上，說：Britnell。

在這項最新研究中，研究小組在隧道二極管的電子特性的h-BN作為阻擋層之間不同的導電材料，如石墨，石墨和金。

通過在一個範圍內的溫度的裝置的電流 - 電壓的測量顯示，單原子層的h-BN的確作為一個有效的隧道勢壘和電流通過該材料作為其厚度的增加而減小。

三明治結構

研究人員測量多種類型的設備，他們製作的三明治結構：金/ BN /金，石墨/ BN /石墨和石墨/ BN /石墨的。

BN層的不同厚度，範圍從一至四個原子層。

Britnell和他的同事們說，他們現在想找到一個合適的半導體分層素材，以配合BN和石墨烯的電子特性 - 後者是一個半金屬。

這將是美妙找到這樣的材料，我們真的是集中在石墨烯，H-BN和其他層狀材料的，然後結合他們可能創建新的三維結構。

的希望是，我們可以發現有趣的新的物理和發現其他的電子設備，新途徑，說：Britnell

在“納米快報”的工作報告。

關於作者

百麗Dumé的特約編輯nanotechweb.org

 

引用：http://physicsworld.com/cws/article/news/2012/apr/02/electrons-tunnel-nicely-through-boron-nitride