【新的矽器件的快速、 靈活和半透明】

八方

【新的矽器件的快速、 靈活和半透明】

 

 

快速、 靈活和半透明

由科學和技術在沙烏地阿拉伯國王阿卜杜拉大學的研究人員已公佈了一個新的、 低成本和產業相容的過程來製作靈活和半透明以矽為基礎的電路。團隊說，技術是製作高性能靈活和透明電腦的重要一步。

近十年，相當大的進展，在靈活的電子產品，與主機的新型應用，如電子像紙一樣顯示和人工皮膚有已經看到了光明的一天。

然而，這些設備大多是由有機材料，如聚合物、 碳基納米線和碳納米管，而不是無機矽 — — 儘管此元素是最現代的技術的基礎。

這是因為矽本質上是脆性和剛性，意思它並不容易本身到靈活的應用程式。

有機物是太慢了

然而，有機柔性電子設備，問題在於他們是矽的同行相比要慢得多。

他們也不是非常穩定在較高溫度下，不能作為連續的電影 — — 與不同的體矽形成。

集成密度 （可以打包到單個晶片上的電晶體數目） 為基於矽的電晶體發現，在今天，這些材料是也遠遠低於那些是微處理器。

雖然存在無機柔性電子，他們依靠昂貴的基板 SOI、 UTSOI 等矽 （111） 和製造超薄矽或多孔矽的過程並不簡單。

現在，由穆罕默德 · 侯賽因率領一個團隊可能已經在克服這些基本的問題，用新的方法，它採用基於矽電路轉換靈活和半透明的同時仍保留矽的電子性能優異的傳統先進的 cmos 工藝相容過程很長的路。

成本也不低因為技術使使用的最常見的基板受雇于半導體工業的今天： 散裝單晶矽矽片 (100)。

深溝

侯賽因和他的同事由 p 型金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 （Mosfet） 第一次鍛深溝少於 50 µ m 寬上一氧化矽層 （在電路中現用圖層）。

下一步，他們補充說，高-電介質/金屬柵疊在這使用原子層沉積一層。

鍍的膜是然後啪地打，使用反應離子刻蝕到 5 µ m 準備好接收不同的設備部件的一項決議。

下一步涉及植摻雜離子形成源和漏的活動區域中的電子，這些電極的接觸到基板使用鎳矽化物薄膜。孔被創造在接觸墊，然後在整個樣品的表面。

深反應離子刻蝕最後受雇以創建關於 30 µ m 的直通道在矽襯底深處。

從批量基板，再使用蝕刻中釋放出來 （包含設備的所有元素） 薄矽膜。

這部電影是靈活和半透明的感謝網路的腐蝕孔。

快速、 靈活

研究人員測試他們的設備的電子和機械屬性，發現他們有一個 80 mV/dec 亞閾值斜坡 — — 是最快的過切換顯示在靈活的電晶體。

更重要的是，這些設備有與到目前為止 — — 包括塑膠的任何其他柔性電晶體相比的最低折彎半徑"侯賽因告訴物理.

約翰 · 羅傑斯的人並沒有參與這項工作，伊利諾伊大學的評論說，這些設備"做不只展現了機械的靈活性，但是也顯著水準的光學透明度。

這裡列出的想法添加到日益增長的方法和材料的製造柔性的積體電路，具有優良的性能工具組"。

結果是重要的一步，提出在實現完全靈活的電腦，添加 · 侯賽因。

事實上，沙烏地阿拉伯隊說它現在正在製作集成的系統，如使用其靈活和半透明的矽的折疊式計算和通信設備。

結果是本質科學報告中詳細說明.

關於作者

百麗 Dumé 是nanotechweb.org的特約編輯

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引用：http://translator.live.com/BV.aspx?ref=IE8Activity&a=http%3A%2F%2Fphysicsworld.com%2Fcws%2Farticle%2Fnews%2F2013%2Fsep%2F12%2Fnew-silicon-devices-are-fast-flexible-and-semi-transparent