【第一次光從輝鉬礦電晶體】
前景是光明的 2D 光電 (點擊查看關係圖)
從單原子層的半導體電晶體發出光刺激下產生電流,根據新的工作,通過在英國、 美國和德國的研究人員。
2D 圖層的輝鉬礦 (MoS2) 產生光的發現表明它應是可能將來會建造光源和其他光子項目從如輝鉬礦為使用分層 2D 半導體光電應用程式。
輝鉬礦包括 2D 的原子層,容易滑過去的彼此,這就是為什麼該材料常用的一種潤滑劑。為此,它類似于石墨,由稱為石墨烯碳的 2D 圖層。
像石墨烯,輝鉬礦是一種半導體與可能有重大的技術關聯的屬性。
然而,不同于石墨烯 (其沒有帶隙) 和矽,輝鉬礦是直接帶隙的半導體,這意味著它應該會非常有效地轉換電能光,反之亦然。
其結果是,該材料可用於 Led、 太陽能電池和探測器等設備。
更有用的屬性
那輝鉬礦已帶隙的事實意味著它可能是更好地適合用於製作電晶體比石墨烯 — — 和材料似乎也有可能是與先進的矽高電荷流動。
它應該與各種基材 — — 甚至透明或塑膠的相容。
最後,單層輝鉬礦是僅約 0.65 毫微米厚,這意味著可以從它作出非常薄的電晶體。
然而,第一次的輝鉬礦電晶體,曾在2011年和研究人員才剛剛開始探索這種半導體的屬性。
現在,一個小 Avouris 和馬蒂亞斯 · 施泰納 IBM 湯瑪斯 J 沃森研究中心在紐約約克鎮高地為首的研究團隊所示,2D 的輝鉬礦發光時的電流與興奮。
這種樂隊的差距相關 2D 半導體中光發射是納米科學和技術中的最重要和激烈研究主題之一說 · 施泰納和結果證實它是可能生成的光源和其他光子從 2D 半導體輝鉬礦等元素。
可見光發射
團隊,其中包括在英國和拉爾夫 · 克魯普克在德國的卡爾斯魯厄技術研究所的安德里亞法拉利來自劍橋大學的科學家,通過電流通過包含作為通道材料單層輝鉬礦電晶體獲得其結果。
然後使用光學顯微鏡,我們能夠在可見光譜範圍內通過透明的基底電晶體,檢測光發射"說: 施泰納。
他補充稱,仍有許多工作要做,但是,在現實世界輝鉬礦光電成為真正的競爭與矽之前。這是燈光的因為從材料發出的效率是燈光的仍然相對較低。
未來研究需要處理裝置的設計和探索新型澆注技術來提高光發射的收益率和更好地控制電荷載體注射液和萃取,"拉維 · 尚卡爾 · 桑達拉姆說的團隊成員。
這可能會通過使用高效蓋茨創建靜電 p — n 結在輝鉬礦通道中,或通過強烈例如摻雜聚合物電解質材料"。
目前的工作被詳細的納米字母.
關於作者
貝爾 Dumé 是nanotechweb.org的特約編輯
引用:http://translator.live.com/BV.aspx?ref=IE8Activity&a=http%3A%2F%2Fphysicsworld.com%2Fcws%2Farticle%2Fnews%2F2013%2Fapr%2F19%2Ffirst-light-from-molybdenite-transistors
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