【應材突破性流動式化學氣相沉積技術 推動先進微晶片...

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【應材突破性流動式化學氣相沉積技術　推動先進微晶片設計】

 

更新日期:2010/08/25 17:26 記者房書勤‧陳心雅／新竹報導

 

應用材料公司25日宣佈，新推出具突破性的Applied Producer® Eterna™流動式化學氣相沉積系統(Flowable CVD)，能運用電流隔絕記憶體及邏輯晶片設計中20奈米及以下製程的淺溝電晶體，具高品質的電介質薄膜，是首樁也是唯一可處理薄膜沉積的技術。

 

電晶體與電晶體間的淺溝層皆可完成 30:1 縱橫比的填洞，較目前技術需求高出五倍，而且具高複雜的縱橫比。

 

Eterna流動式化學氣相沉積系統獨特的能力，可以將淺溝層自下到上完全填洞完畢，並產出緊密、無碳的介電質薄膜，比液態旋轉式薄膜(spin-on)沉積方式的成本便宜一半，液態旋轉式薄膜沉積需更多的設備及更多道的製程手續方能完成。

應用材料公司副總裁暨DSM/ CMP產品處總經理比爾‧麥可林塔(Bill McClintock)表示，由於先進晶片設計中，需要填出更小更深的溝層，成為目前沉積技術無法突破的物理性障礙。

 

今日應用材料公司已有傑出的技術突破，我們推出新的Eterna流動式化學氣相沉積系統，能形成破壞性創新，讓製程技術能遵循摩爾定律持續進步。

 

擁有這套Eterna 流動式化學氣相沉積系統，應用材料公司可望持續維持長達十年的填洞技術領導地位，為客戶提供獨特、簡化、具成本效益的解決方案，以克服多種新世代晶片技術所面臨的挑戰。

應用材料公司具專利的Eterna流動式化學氣相沉積製程，能沉積出如液體般的薄膜，可自由流動於任何結構中，形成自下到上的無空隙填充效果。

 

Eterna流動式化學氣相沉積系統可整合至應用材料公司的Producer平台，目前已裝在六處DRAM、快閃記憶體及邏輯應用客戶端的機台上。

 

引用：http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/100825/17/2bs0v.html