【3D電晶體問世 英特爾掀革命】

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【3D電晶體問世 英特爾掀革命】

 

更新日期:2011/05/06 03:01 蔡鵑如／綜合報導

 

中國時報【蔡鵑如／綜合報導】

全球半導體龍頭英特爾四日宣布革命性的「三閘」（Tri-Gate）的電晶體製造技術，率先以立體（3D）而非平面（2D）方式大量生產，最快將在年底前投產，明年並運用於英特爾的新處理器「Ivy Bridge」，大幅提高個人電腦、智慧型手機與平板電腦等裝置的效能。

英特爾並未透露新電晶體技術細節，但「邏輯技術開發部門」主管波爾（Mark Bohr）指出，該公司將是首家把3D電晶體技術投產的業者，與現有的卅二奈米製程相比，採用廿二奈米製程的3D電晶體，可提高三七％效能，電力消耗僅2D一半。

英特爾自豪地稱，這是積體電路自一九五○年代問世以來，矽晶片設計最重大的進展。執行長歐德寧說，有了新科技加持，將可打造出更多「影響全世界的驚奇裝置」。

英特爾投入3D電晶體研發已近十年，原理近似在寸土寸金的城市蓋摩天大樓，爭取更多空間。在平面晶片架構上，新增一道垂直置於基板的薄片，體積卻不會加大，創造更高效能，並延續「摩爾定律」（Moore’s Law）。

一九六五年，英特爾共同創辦人摩爾（Gordon Moore）預言，隨著晶片的製程技術進步，晶片上的電晶體數目每十八個月可增加一倍，效能大幅增進，即為所謂「摩爾定律」。

四十多年來，由於晶片尺寸越來越小，電腦越來越輕薄短小且價格低廉，但受到半導體製造成本日增的影響，摩爾定律面臨失效威脅。隨著3D電晶體問世，摩爾定律趨勢將可持續數年。

3D晶片也可望助英特爾在較弱的行動通訊區塊，追上對手安謀（ARM）。市面上平板電腦與智慧手機幾乎都採用安謀晶片，一般認為它較英特爾的x86處理器更省電。

產業分析師對三閘技術多半抱持期待心理，市調機構VLSI Research執行長哈奇森說：「我們尋覓了幾十年，現在出現了革命性的技術變革。」

Mercury Research晶片分析師麥卡隆也認為，儘管3D電晶體細節尚未明朗，但將引領潮流。

 

「英特爾將把3D電晶體量產，意味它已是完成體。」 另有分析師表示，英特爾可望領先對手一整個世代。台灣的台積電表示，兩年內不會運用三閘技術。

 

 

引用：http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110506/4/2r1cr.html