【晶片「蓋高樓」 英特爾大突破】

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【晶片「蓋高樓」 英特爾大突破】

 

更新日期:2011/05/05 09:50 李威翰

（法新社舊金山4日電） 晶片大廠英特爾（Intel）今天宣布晶片重大突破，可望讓手機效能更強，卻更加省電。

這間美國晶片廠說，這是50多年前發明矽電晶體以來，首次以3維而非2維方式大量生產。

英特爾「革命性」的三門（Tri-Gate）電晶體，捨棄只往兩側擴充的方式，改由往上增加，如同高樓大廈內部空間比一堆矮平房更多。

英特爾早在2002年就宣布三門晶片，如今以22奈米製程生產。

英特爾說，低電壓和低耗電，遠超過我們平常所見的晶片時代躍進。（譯者：中央社李威翰）1

 

 

引用：http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110505/19/2qznx.html