【日強震後 記憶體現貨價大漲】
更新日期:2011/03/14 11:47
(中央社記者張建中新竹14日電)日本大地震後,DRAM與NAND Flash現貨價今天同步大漲;其中,DRAM 2Gb現貨均價較上週五(11日)上漲逾5.5%,NAND Flash現貨均價也上漲1.2%以上。
日本宮城外海大地震,儘管日本記憶體廠爾必達(Elpida)及東芝(Toshiba)產線受創情況輕微,不過,市場憂心矽晶圓短期供應恐將短缺,力晶、三星(Samsung)及海力士(Hynix)等記憶體廠紛紛暫停現貨報價。
日本大地震後首日交易,包括動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)等記憶體現貨價,果然如市場預期,呈現彈升走勢。
根據集邦科技調查,DDR3 2Gb 顆粒現貨均價達2.1美元,較上週五上漲 5.53%;DDR3 2Gb eTT(有效測試顆粒)均價為 1.93美元,上漲5.65%。
NAND Flash方面,市場主流的32Gb MLC現貨均價為5.45美元,上漲8.35%;32Gb TLC現貨均價為4.18美元,也上漲1.21%。
集邦科技表示,旺季來臨前,日本強震意外,料將刺激系統廠備貨更加積極,也將有助DRAM合約市場開始加溫。1000314
引用:http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110314/5/2o0cw.html |