【納米線給垂直晶體管提振】

明道

【納米線給垂直晶體管提振】

 

 

樂觀：垂直圍柵晶體管

在日本的研究人員已經在開發一種新型的基於矽的晶體管通過成功地創建從在矽襯底上的半導體納米線的垂直晶體管的一個重要的進步。

電線，由砷化銦鎵（銦鎵砷），被包圍由3D - 而不是平面狀的 - 蓋茨，成品具有極其良好的電子性能的設備。

隨著時間的推移，傳統的微電子電路，金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（MOSFET）的基礎上，已成為越來越小，這是為他們的成功的主要原因之一。

然而，許多問題，如斷態電流洩漏和所謂的短溝道效應，變得更加明顯，設備尺寸減小。

為了克服這些並發症，基於矽的晶體管的柵極結構已經歷了從“鰭”場效應晶體管（FET），在過去的幾年中發展的是2D（平面）的3D。

人員正在尋找在平面和硬件架構的翅片，使用III-V族化合物半導體，例如砷化銦鎵，作為替代品的互補金屬氧化物半導體（CMOS），因為它們具有高的電子遷移率和優異的相容性與現有的柵極介電材料。

一個新的“周圍的門”的架構 - 即納米線的通道門被纏 - 也顯示了很大的希望。然而，這樣的結構是難以進行研究，因為它不是獨立的半導體納米結構，例如納米線，易於集成到矽襯底上。

納米線通道

現在，富岡克洋和他的同事在札幌北海道大學已經開發出一種新技術，成長砷化銦鎵納米線垂直。

他們已經表明，這是可以製造使用這些電線和芯多殼納米線的圍柵晶體管 - 這是由砷化銦鎵/磷化銦/銦鋁砷/銦鎵砷 - 頻道。

該通道具有一個六面的結構，因而具有的好處大大增加通態電流和器件的跨導。

研究人員測量在他們的設備的開-關電流比為約10 8 -優於類似的材料製成的具有相同尺寸的設備中觀察到的一個值，該值。在約7850厘米2 / V·s，則估計的晶體管的場效應遷移率遠遠高於矽金屬-氧化物-半導體場效應管的典型的電子遷移率。

這些性能意味著新的設備可能是有用的高速無線網絡和其他先進技術的積木，富岡說。

垂直晶體管

最近出版的自然門新架構，其他渠道和替代開關機制，為未來CMOS技術的一些評論文章，富岡解釋。

在最近的一次重要會議，晶體管的研究人員，英特爾建議，III-V族材料集成到矽可能是未來低功耗，高速CMOS，該公司還強調垂直方向的3D晶體管的重要性。

他補充說，結果是“率先實現這些預言”。

球隊現在的計劃製造p-型場效應管採用新技術的邏輯運算。

這項工作是描述自然。

作者簡介

Belle DUME的是一個特約編輯nanotechweb.org的

 

引用：http://physicsworld.com/cws/article/news/2012/aug/06/physicists-unveil-plans-for-lep3-collider-at-cern