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標題: 【英特爾3D電晶體 年底量產】 [打印本頁]

作者: tan2818    時間: 2012-6-26 14:33
標題: 【英特爾3D電晶體 年底量產】

英特爾3D電晶體 年底量產

 

更新日期:2011/05/06 17:49

 

(中央社記者吳佳穎台北6日電)英特爾(Intel)宣布3D、三閘(Tri-Gate)電晶體技術年底進入量產,會用於Ivy Bridge處理器上,也可協助開發出更高整合度的Intel Atom(凌動)處理器,提高效能。


英特爾宣布,於2002年首次公開命名為Tri-Gate的3D立體電晶體設計,預計年底進入量產,會率先用於Ivy Bridge處理器。


英特爾表示,今年年底量產的Ivy Bridge系列22奈米微處理器,是第一批採用3D、三閘電晶體的量產晶片,可搭載於筆記型電腦、伺服器以及桌上型電腦。


英特爾在發布的新聞稿上說明,3D、三閘重新打造了電晶體,將傳統的2D(平面)閘極換成3D矽晶薄片。


這些做成薄片狀的電晶體垂直接附在矽基板的表面,薄片 3個平面上各置有一個閘極,用來控制電流,兩側各有一個,第 3個置於頂端,而2D平面電晶體只有在頂端處有唯一的閘極。


英特爾表示,如此一來,3D三閘電晶體有更多的控制元件,讓電晶體在切換到「開啟」狀態時能流入更多的電流,而在「關閉」的低耗電狀態,電流盡可能接近於零,且能快速的在這兩種狀態間切換,以達到更好的效能。


英特爾表示,22奈米的3D三閘電晶體在低電壓模式時,效能較目前英特爾Sandy Bridge處理器使用的32奈米平面電晶體高出37%,更適用於各種迷你掌上型裝置;同時,在運作上能減少電晶體在開啟/關閉反覆切換所耗費的電力。


另外,3D三閘電晶體技術也將協助開發更高整合度的Intel Atom處理器,提高效能,滿足市場對於整體耗電、成本以及尺寸等方面的需求。


英特爾表示,這是電晶體演進的重大突破,是自從矽電晶體在50年前發明以來,首度採用3D立體結構的電晶體即將邁入量產。


英特爾指出,迄今為止,所有電腦、手機、消費電子產品,甚至連汽車、飛機、家用電器、醫療設備,以及成千上萬種日常裝置內的電子控制元件,從過去數十年來皆使用平面結構的電晶體;3D三閘電晶體的量產,將突破2D平面電晶體結構,帶來巨大的改變。1000506

 

 

引用:http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110506/5/2r2tf.html






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