【工研院技術突破 MRAM取代DRAM】
記者洪友芳／專題報導
工研院投入MRAM（磁式記憶體）研發超過10年，近年來技術大突破，整體研發成果與韓國三星、日本東芝等同步，預計尋求2015年與產業界攜手將技術導入量產，屆時有機會取代DRAM等記憶體。
2015年展開新一輪競爭
工研院電光所所長劉軍廷表示，該所研發的MRAM為「垂直式自旋磁性記憶體」技術，近年來克服非對稱翻轉的挑戰，成功解決「元件變小時容易導致記憶體失效」的技術瓶頸；預估2015年新世代記憶體將進入新一輪競賽。
MRAM具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，工研院此關鍵技術，對台灣記憶體與資訊業將有助優勢競爭利基。劉軍廷指出，工研院投入MRAM記憶體研發過程中，歷經被質疑、整併等波折，但團隊以屢挫不敗的精神持續研發MRAM，10年多已獲獎4次；
並以MRAM相關技術開發出磁性感測器，結合加速度計可以達到陀螺儀相似功能，可應用在電子羅盤、手機導航及定位上。
速度更快容量更大
工研院電光所奈米電子技術組組長顧子琨指出，從設備運轉到資料儲存，記憶體已成為不可或缺的關鍵零組件，MRAM因兼顧速度快與容量大，且為非揮發性的記憶體，因此受到國際產業界高度重視；
包括三星（Samsung）、海力士（Hynix）、美光（Micron）、東芝（Toshiba）等記憶體廠，皆已投入研發，設備商及晶圓代工廠等也競相展開研發，並認為MRAM將是取代DRAM、Flash等記憶體的關鍵技術。
顧子琨表示，全球產業界雖重視MRAM技術，但因有許多物理瓶頸待克服，以致10多年來，沒有哪個研發團隊可克服所有瓶頸問題，量產時程也一延再延。
不過，3年前，韓國三星與海力士在國際電子元件會議（IEDM）皆提出新的MRAM研發成果，研發MRAM再度受矚目。
技術與三星並駕齊驅
顧子琨指出，工研院的非對稱翻轉技術突破，為全球第一個不需要外在磁場，就能使MRAM具有對稱翻轉特性的創新；其他如電流、寫入速度等特性則與三星、東芝研發水準相當。
目前工研院已跟美國技術授權公司Rambus合作，簽訂先期技術評估合約，後續將進行產品型態設計，並尋求將MRAM技術推廣到IC設計、生產製造公司，預計2015年能進入試量產與商品化階段。
顧子琨以產業觀點指出，過去台灣DRAM產業因缺乏自有關鍵技術，加上供需失衡，使得廠商出現嚴重虧損，不得不被迫退出賽局。今年以來，記憶體產業暫時趨向穩定，但DRAM製程微縮到20奈米恐已達極限，接著將面臨新挑戰。
三星預計2015年量產MRAM，工研院長期投入研發，期望能補足台灣產業無法研發下世代技術缺口，有機會協助產業在2015年與國外大廠競爭。
引用：http://n.yam.com/tlt/fn/20130701/20130701585841.html
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