【英特爾3D電晶體 年底量產】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>英特爾3D電晶體 年底量產</FONT>】</FONT></STRONG></P><P> </P>
<P><STRONG><SPAN>更新日期:<Q><SPAN class=t_tag href="tag.php?name=2011">2011</SPAN>/05/06 17:49</Q></SPAN> <EM></EM></STRONG></P>
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<P><STRONG>（中央社記者吳佳穎台北6日電）英特爾（Intel）宣布3D、三閘（Tri-Gate）電晶體技術年底進入量產，會用於Ivy Bridge處理器上，也可協助開發出更高整合度的Intel Atom（凌動）處理器，提高效能。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾宣布，於2002年首次公開命名為Tri-Gate的3D立體電晶體設計，預計年底進入量產，會率先用於Ivy Bridge處理器。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾表示，今年年底量產的Ivy Bridge系列22奈米微處理器，是第一批採用3D、三閘電晶體的量產晶片，可搭載於筆記型電腦、伺服器以及桌上型電腦。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾在發布的新聞稿上說明，3D、三閘重新打造了電晶體，將傳統的2D（平面）閘極換成3D矽晶薄片。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>這些做成薄片狀的電晶體垂直接附在矽基板的表面，薄片 3個平面上各置有一個閘極，用來控制電流，兩側各有一個，第 3個置於頂端，而2D平面電晶體只有在頂端處有唯一的閘極。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾表示，如此一來，3D三閘電晶體有更多的控制元件，讓電晶體在切換到「開啟」狀態時能流入更多的電流，而在「關閉」的低耗電狀態，電流盡可能接近於零，且能快速的在這兩種狀態間切換，以達到更好的效能。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾表示，22奈米的3D三閘電晶體在低電壓模式時，效能較目前英特爾Sandy Bridge處理器使用的32奈米平面電晶體高出37%，更適用於各種迷你掌上型裝置；同時，在運作上能減少電晶體在開啟/關閉反覆切換所耗費的電力。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>另外，3D三閘電晶體技術也將協助開發更高整合度的Intel Atom處理器，提高效能，滿足市場對於整體耗電、成本以及尺寸等方面的需求。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾表示，這是電晶體演進的重大突破，是自從矽電晶體在50年前發明以來，首度採用3D立體結構的電晶體即將邁入量產。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾指出，迄今為止，所有電腦、手機、消費電子產品，甚至連汽車、飛機、家用電器、醫療設備，以及成千上萬種日常裝置內的電子控制元件，從過去數十年來皆使用平面結構的電晶體；3D三閘電晶體的量產，將突破2D平面電晶體結構，帶來巨大的改變。<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=100">100</SPAN>0506</STRONG></P>
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<P>引用：<A href="http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110506/5/2r2tf.html"><FONT color=#0000ff><SPAN class=t_tag href="tag.php?name=http">http</SPAN>://tw.news.yahoo.com/<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=article">article</SPAN>/url/d/a/1<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=105">105</SPAN>06/5/2r2tf.html</FONT></A></P>
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