【晶片「蓋高樓」 英特爾大突破】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>晶片「蓋高樓」 英特爾大突破</FONT>】</FONT></STRONG></P><P> </P>
<P><STRONG><SPAN>更新日期:<Q><SPAN class=t_tag href="tag.php?name=2011">2011</SPAN>/05/05 09:50</Q></SPAN> 李威翰 <BR><BR></P>
<P><STRONG>（法新社舊金山4日電） 晶片大廠英特爾（Intel）今天宣布晶片重大突破，可望讓手機效能更強，卻更加省電。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>這間美國晶片廠說，這是50多年前發明矽電晶體以來，首次以3維而非2維方式大量生產。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾「革命性」的三門（Tri-Gate）電晶體，捨棄只往兩側擴充的方式，改由往上增加，如同高樓大廈內部空間比一堆矮平房更多。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾早在2002年就宣布三門晶片，如今以22奈米製程生產。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>英特爾說，低電壓和低耗電，遠超過我們平常所見的晶片時代躍進。（譯者：中央社李威翰）1</STRONG></P>
<P> </P>
<P> </P>
<P>引用：<A href="http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110505/19/2qznx.html"><FONT color=#0000ff><SPAN class=t_tag href="tag.php?name=http">http</SPAN>://tw.news.yahoo.com/<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=article">article</SPAN>/url/d/a/1<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=105">105</SPAN>05/19/2qznx.html</FONT></A></P></STRONG>
頁:
[1]