【原子層沉積技術平台 助半導體製程躍升】
<p style="text-align: center;"><b><font size="5">【<font color="#ff0000">原子層沉積技術平台 助半導體製程躍升</font>】</font></b></p><p><b><br></b></p><p><b>（中央社記者林孟汝台北4日電）為推動台灣半導體產業發展，國研院整合產、學、研三方能量成立「原子層沉積聯合實驗室」服務平台，將提升台灣半導體製程設備技術與化學材料開發的研發實力。</b></p><p><b><br></b></p><p><b>半導體製程中，原子層沉積技術（atomic layer deposition, ALD）由於具有極佳的薄膜成長厚度控制性、階梯覆蓋性與大面積均勻性，已成為半導體產業的1項主流技術，然而目前台灣的半導體產業設備供應鏈中，鮮少具有競爭力的薄膜製程設備供應商。</b></p><p><b><br></b></p><p><b>依照ALD產業成長趨勢，2015年台灣在ALD設備及原材料的需求，預估將達到新台幣77億元產值，但台灣半導體廠必須仰賴國外設備商提供製程設備及前驅物材料，造成業者成本負擔及技術限制，更無法掌控未來技術的發展藍圖。</b></p><p><b><br></b></p><p><b>國家實驗研究院儀器科技研究中心已投入ALD相關研究逾10年，累積豐厚的技術能量，並已提供學界多套自製ALD系統，今天與台灣積體電路股份有限公司簽訂合作協議，希望能將本身的ALD技術能量推廣到業界，提供半導體製造業ALD製程設備測試與開發驗證的服務平台。</b></p><p><b><br></b></p><p><b>儀科中心表示，「原子層沉積聯合實驗室」平台服務內容包括前驅物的合成與篩選測試、製程測試與驗證服務、客製化ALD設備與腔體開發等。</b></p><p><b><br></b></p><p><b><br></b></p><p><b>引用：http://n.yam.com/cna/fn/20150304/20150304895877.html</b></p><p><br></p><p></p>
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