【憶阻器的內存可以用於可穿戴電子產品】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>憶阻器的內存可以用於可穿戴電子產品</FONT>】</FONT></STRONG></P><P><STRONG></STRONG> </P>
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<P><STRONG>內存容易彎圓一個鉛筆大小的桿</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>在韓國的研究人員第一次使一個可彎曲的數字存儲器，可以存儲數據，而無需恆功率。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>這樣的回憶能找到更舒適的閱讀，並在可穿戴計算機的應用在電子紙，可用於醫療監測和治療。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>阿憶阻器“記住”的電荷量的信息被存儲在裝置的電阻值，通過它流入。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>憶阻器的概念在1971年被首次提出，但直到2008年，第一個實用的裝置是由。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>從那時起，幾個研究小組探討了開發靈活的回憶將憶阻器交叉點配置。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>兩排平行的金屬線被放置在一個網格上的其他頂級之一，在線條交叉，它們被連接憶阻器。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>通過運行電流沿著兩條線，越過一個特定的憶阻器，研究人員可以 - 在理論上 - 讀，寫或擦除編碼的信息在其電阻狀態。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>富氧</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>基翁李政宰韓國高等科學技術學院（KAIST）和他的同事提出了他們的憶阻器的頂部和底部的鋁電極的無定形二氧化鈦。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>該球隊沉積的二氧化鈦電極之間的原子厚的層，留下額外的氧離子，因為鋁氧的親和力富集上面的頂電極的界面。</STRONG></P>
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<P><STRONG>交叉點架構</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>交叉點architectureWhen一個負電壓被施加到頂端電極，負離子推入二氧化鈦，從而降低材料的電阻。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>此低電阻率的狀態，相當於一個二進制“1”，並且忍受至少2.7小時，即使在電壓關閉。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>切換電極的極性，會導致繪製正頂電極的氧回。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>返回憶阻器的高電阻“0”狀態。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>憶阻器的狀態可以讀出通過施加一個小的，-0.5 V，讀取電壓，然後測量電流。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>貫穿在其低電阻狀態，憶阻器是目前的50倍，如果它跑了憶阻器通過高電阻。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>很簡單，但有缺陷</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>不幸的是，這個簡單的設置有一個重大的缺陷。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>通過低電阻的鄰居，是為了探測高電阻憶阻器的讀取電流反而喜歡旅行 - 它可以。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>這使得讀憶阻器的電阻比它確實是看起來更小。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>只要存在這些“潛行路徑”，內存不能準確讀取，寫入或擦除，說KAIST的Seungjun金。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>要切斷偷渡路徑，球隊配對每個憶阻器，靈活的矽晶體管，它可以防止電流流經憶阻器，除非它被選中的操作。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>該小組提出了64憶阻晶體管位，8個陣列在一個靈活的塑料底座的一側。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>為了演示存儲器的柔韌性，該球隊逐漸彎曲的曲率半徑為28.6毫米至8.4毫米。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>研究人員測量了高和低電阻狀態，一路走來，無論狀態報告沒有顯著的變化。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>要測試的材料的疲勞一個2.8厘米長，以便它的邊緣分別為1.8厘米的塑料片上，該球隊彎曲的一個數組。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>團隊彎曲放寬內存的1000倍，在性能上觀察稍加改造。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>“關鍵的一步”</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>緯路在密歇根大學安阿伯，誰沒有參與這項研究，“關鍵的一步”，實現靈活的存儲設備調用的工作，因為它使跳從單細胞到小數組。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>不過，他指出，球隊只測試2×2的子集他們的8×8陣列，研究人員將需要證明的技術在更大的陣列，以表明它可以擴大。他還指出，64位內存涵蓋了“高達”平方厘米。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>相比之下，現代固態存儲器密集的100多萬次，他說。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>該小組已經調查更緊湊的數組的選項，一個二極管和其下一個靈活的存儲器為每個位單極電阻相結合。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>除了約三分之一空間小於憶阻晶體管位，犯罪嫌疑人李某，這些將是更容易大規模生產。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>這項工作是描述在納米快報。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>作者簡介</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>總部設在英國科學作家凱特·麥卡爾平</STRONG></P>
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<P><STRONG>引用：</STRONG><A href="http://physicsworld.com/cws/article/news/2011/nov/03/memristor-memory-could-be-used-in-wearable-electronics"><STRONG>http://physicsworld.com/cws/article/news/2011/nov/03/memristor-memory-could-be-used-in-wearable-electronics</STRONG></A><BR></P>
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