【中科院推功率元件及晶體研發聯盟 提昇國家競爭力】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>中科院推功率元件及晶體研發聯盟 提昇國家競爭力</FONT>】</FONT></STRONG></P><P><STRONG></STRONG> </P>
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<P><BR><STRONG>（軍聞社記者劉凱治臺北廿一日電）國防部軍備局中山科學研究院今日上午舉行「功率元件及晶體研發聯盟」成立大會，會中邀集國內參與相關聯盟業者進行合作意願書簽約儀式，以推動產業聚落的理念，促進國內功率半導體電子元件及晶體的發展，提升國家生產與競爭力。</STRONG></P>
<P><STRONG> <BR>中科院表示，在高功率電子產業方面，寬能隙(Wide Band Gap; WBG)半導體材料之碳化矽(SiC) 高功率元件，其物理性質優於其他現行材料，可提昇車用電子產品、太陽能電源轉換器模組的效能，目前實際運用在半導體、微波、短波長發光元件等材料上，因此視為下一代新興原料，然而國內尚無完整產業聚落，以至相關廠商仍處於研發階段。</STRONG></P>
<P><STRONG> <BR>中科院指出，在經濟部支持下，已投入晶體及檢測技術開發工作，本次大會邀集涵蓋國內上中下游廠商，推動發展半導體、高功率元件產業聚落，促使各民間企業需求以及技術互通，藉此達到自給自足的效益，更可進軍國際市場。</STRONG></P>
<P><STRONG> <BR>中科院強調，此項與國內半導體相關材料及元件製造商簽署的產業聯盟合作備忘錄，希透過產業面對面互動的方式，將研發成果落實及技術順利轉移於國內產業，有效提昇國家競爭力，未來更可優化武器、戰場偵測系統，進而達成國防自主的使命。</STRONG></P>
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<P><STRONG>引用：</STRONG><A href="http://n.yam.com/gpwb/life/20121221/20121221078030.html"><STRONG>http://n.yam.com/gpwb/life/20121221/20121221078030.html</STRONG></A><BR></P>
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