【NAND新製程 讀寫進入G世代】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>NAND新製程 讀寫進入G世代</FONT>】</FONT></STRONG></P><P> </P>
<P><STRONG><SPAN>更新日期:<Q><SPAN class=t_tag href="tag.php?name=2010">2010</SPAN>/01/04 02:35</Q></SPAN> 記者涂志豪／台北報導 </STRONG></P>
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<P><STRONG>工商時報【記者涂志豪／台北報導】</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>NAND快閃記憶體今年主流製程將轉進40奈米以下世代，由於新製程NAND晶片讀寫速度均大幅提高1倍到1Gbps以上，僅能支援480Mbps的<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=USB">USB</SPAN> 2.0因頻寬受限已不敷使用，包括三星、東芝、英特爾等業者，將在今年美國消費性電子展（CES）中宣示跨入USB 3.0世代。國內已完成USB 3.0元件端（Device）控制晶片研發的智原（3035）、創惟（6<SPAN class=t_tag href="tag.php?name=104">104</SPAN>）等業者，本季可望陸續獲得NAND業者訂單。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>隨著NAND價格陸續回升，NAND業者均大幅提高今年資本支出，幾乎包下了艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等浸潤式（immersion）微影設備機台今年過半產能，以利進行次世代NAND製程微縮。根據通路業者表示，三星及東芝的32奈米、英特爾及美光的34奈米晶片、海力士的41奈米等NAND晶片，將陸續在第2季後陸續量產出貨。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>值得注意之處，是40奈米以下NAND晶片讀寫速度已大幅提升1倍，讀取速度理論值達每秒230MB（約1.84Gbps）、寫入速度理論值達每秒180MB（約1.44Gpbs），等於NAND晶片讀寫速度已跨入1Gbps世代，至於終端記憶卡的讀寫速度理論值，也已拉高至800Mbps以上。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>但是，現在普遍應用在NAND終端產品的USB 2.0介面，傳輸頻寬最高僅480Mbps，無法因應愈來愈快的NAND晶片或記憶卡的讀寫速度，因此，包括三星、海力士、東芝及新帝、英特爾及美光等NAND供應商，將於今年CES展中宣示進入USB 3.0世代。國內模組廠如創見、威剛、勁永、金士頓等，也將推出記憶卡、隨身碟、固態硬碟（SSD）等USB 3.0新產品。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>受惠NAND業者的全力支持，USB 3.0成為今年CES展當紅話題，國內晶片廠中，以智原及創惟的研發速度最快，已完成了元件端控制晶片量產準備。其中智原USB 3.0實體層（PHY）獲得多家NAND控制晶片廠採用，本季起PHY矽智財授權及委託設計案（NRE）收入明顯增加，特殊應用晶片（ASIC）也將正式出貨。</STRONG></P>
<P><BR><STRONG>創惟除了在CES展出USB 3.0橋接晶片及集線器（Hub）等產品，NAND控制晶片也已進入最後設計定案（tape-out）階段。通路業者表示，智原、創惟的解決方案已獲NAND業者詢問，第1季中下旬應可開始接單量產，成為USB 3.0世代交替下的主要受惠廠商。</STRONG></P>
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